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Newsroom >> Sapphire dislocation and Microscope observation
                

一、 什么是位錯(cuò)
        位錯(cuò)( Dislocation )是原子的一種特殊組態(tài),是一種具有特殊結(jié)構(gòu)的晶格缺陷,也稱(chēng)為線缺陷。實(shí)際晶體在結(jié)晶時(shí)受到外界環(huán)境或應(yīng)力的影響,使晶體內(nèi)部質(zhì)點(diǎn)排列變形、原子行列間相互滑移,不再符合理想晶格的有秩序的排列而形成線狀的缺陷,稱(chēng)為位錯(cuò)。

 

 


二、 位錯(cuò)產(chǎn)生的原因

       熱場(chǎng)設(shè)計(jì)必須要具有適當(dāng)?shù)目v向和徑向溫度梯度和適當(dāng)?shù)嫩釄迮c晶體直徑比例,即保證適當(dāng)?shù)倪^(guò)冷度條件。只要存在徑向溫度梯度和縱向溫度梯度,熔體內(nèi)就會(huì)出現(xiàn)熱運(yùn)動(dòng),造成固液界面處晶體存在著熱應(yīng)力,超過(guò)晶體材料的臨界應(yīng)力,在晶體中就會(huì)產(chǎn)生位錯(cuò)。 晶體中的位錯(cuò)來(lái)源有二:一是在力場(chǎng)中通過(guò)成核和增殖產(chǎn)生的,二是籽晶遺傳的;不管位錯(cuò)是后天產(chǎn)生的,還是先天遺傳的。只要位錯(cuò)與生長(zhǎng)界面相交,在生長(zhǎng)過(guò)程中隨界面推移,位錯(cuò)必然延伸,這是由伯格斯矢量守恒所決定的。 位錯(cuò)線具有特殊的拓?fù)湫再|(zhì):它要么構(gòu)成閉合的圈圈,要么延伸到晶體表面,絕不可能中斷在晶體之中。位錯(cuò)線也可以分岔開(kāi)來(lái),分岔后的的兩根位錯(cuò)線也必須遵守伯格斯矢量守恒和位錯(cuò)線特殊的拓?fù)湫再|(zhì)。

 

三、 藍(lán)寶石位錯(cuò)
        藍(lán)寶石晶體的純度在 99.99%~99.999% 之間,意味這晶體中存在大量的填隙原子和雜質(zhì)原子,也就是點(diǎn)缺陷;這些點(diǎn)缺陷在力場(chǎng)中通過(guò)成核和增殖產(chǎn)生位錯(cuò)——線缺陷。藍(lán)寶石襯底常常提起的 EPD ,其實(shí)就是位錯(cuò)(線缺陷)與 C 面相交,并在 C 面上的投影。


        如果晶體的材料的單晶性不好(與坩堝壁接觸的寄生成核),就會(huì)產(chǎn)生面缺陷,面缺陷與 C 面相交,并在 C 面上的投影就是襯底材料常常提起名詞——差排線。

 

四、 化學(xué)腐蝕藍(lán)寶石表面
        要想觀測(cè)藍(lán)寶石表面的位錯(cuò),必須要對(duì)表面進(jìn)行化學(xué)腐蝕處理。

 

       藍(lán)寶石晶體 (0001) 面和 (1120) 面的位錯(cuò)腐蝕坑呈現(xiàn)不同的形狀是由晶體所屬的點(diǎn)群和晶體結(jié)構(gòu)所決定的?;瘜W(xué)腐蝕劑的作用就是破壞晶體內(nèi)部分子或原子間相互作用鍵,鍵合力較小的首先被破壞。

 

       而在晶體生長(zhǎng)過(guò)程中位錯(cuò)也主要產(chǎn)生在相互鍵合較弱的分子或原子間。晶體生長(zhǎng)時(shí)如果外界條件 ( 如生長(zhǎng)速度的波動(dòng)、熱振動(dòng)、機(jī)械振動(dòng)、結(jié)晶時(shí)固態(tài) - 液態(tài)原子密度差異、結(jié)晶冷卻應(yīng)力產(chǎn)生的晶格滑移等 ) 發(fā)生變化就容易造成晶格排列錯(cuò)位。

 

       晶體缺陷是處于能量較高的不穩(wěn)定的非平衡狀態(tài)。因此在化學(xué)試劑作用下,缺陷處晶格原子首先與化學(xué)試劑發(fā)生作用,釋放出能量以達(dá)到平衡態(tài),從而形成某種特定形狀的腐蝕圖像。

   

五、 顯微鏡觀測(cè)藍(lán)寶石表面(全國(guó)獨(dú)家WDI顯微鏡)
        合能陽(yáng)光采用我們自己研發(fā)的成熟工藝對(duì)藍(lán)寶石表面進(jìn)行腐蝕。利用全國(guó)獨(dú)家的 WDI 顯微鏡對(duì)藍(lán)寶石表面進(jìn)行觀測(cè)。(僅合能陽(yáng)光可提供)


        沒(méi)有腐蝕的表面可明顯看到多種不同的缺陷,表面質(zhì)量不佳。橘皮,拋光劃痕,污染及表面凹坑都可清晰可見(jiàn)。


        腐蝕后的表面, 100 及 200 倍觀測(cè)。拋光劃痕,位錯(cuò)清晰可見(jiàn)。 1. 邊緣拋光度相對(duì)優(yōu)于內(nèi)部 .2. 邊緣劃痕嚴(yán)重,而內(nèi)部位錯(cuò)嚴(yán)重。


        利用顯微鏡配備的軟件,對(duì)表面位錯(cuò)密度進(jìn)行了大概計(jì)算。備注:僅針對(duì)藍(lán)寶某一特定位置來(lái)說(shuō)明, WDI 顯微鏡可以清晰觀測(cè)位錯(cuò)和計(jì)算藍(lán)寶石位錯(cuò)密度。

 

        WDI 效果完全可媲美進(jìn)口的 Olympus !但是 WDI 顯微鏡性?xún)r(jià)比更高!

        備注:視場(chǎng)顏色由微分干涉調(diào)節(jié)波段決定??筛鶕?jù)環(huán)境變化調(diào)節(jié)到不同的觀測(cè)效果,觀測(cè)者可以自己決定最佳效果。

 

六、 總結(jié)

        藍(lán)寶石的表面缺陷及位錯(cuò)嚴(yán)重影響后續(xù)磊晶層的長(zhǎng)晶品質(zhì),從而影響到 LED 的發(fā)光效率與壽命。是藍(lán)寶石拋光片不可逃避的關(guān)鍵檢測(cè)項(xiàng)目。

 

        合能陽(yáng)光的專(zhuān)家團(tuán)隊(duì)可提供全面專(zhuān)業(yè)的藍(lán)寶石工藝指導(dǎo),合能陽(yáng)光的 WDI 顯微鏡可清晰觀測(cè)各種藍(lán)寶石表面缺陷,完全媲美進(jìn)口顯微鏡,并且具有更高的性?xún)r(jià)比。為解決藍(lán)寶石表面檢測(cè)提供專(zhuān)門(mén)的檢測(cè)方案,打破了進(jìn)口顯微鏡對(duì)行業(yè)的壟斷,減低行業(yè)的投資成本,并成為全國(guó)獨(dú)家可提供藍(lán)寶石工藝支持的檢測(cè)方案提供商。

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