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無(wú)接觸硅片厚度TTV電阻率綜合測(cè)試系統(tǒng)為太陽(yáng)能/光伏硅片及其他材料提供快速、多通道的厚度、（總厚度變化）TTV、翹曲及無(wú)接觸電阻率測(cè)量功能。并提供基于TCP/IP的數(shù)據(jù)傳輸接口及基于Windows的控制軟件，用以進(jìn)行在線及離線數(shù)據(jù)管理功能。。



無(wú)接觸硅片厚度TTV電阻率綜合測(cè)試系統(tǒng) - 產(chǎn)品特點(diǎn)

■ 使用MTI Instruments獨(dú)有的推/拉電容探針技術(shù)
■ 每套系統(tǒng)提供最多三個(gè)測(cè)量通道
■ 可進(jìn)行最大、最小、平均厚度測(cè)量和TTV測(cè)量
■ 可進(jìn)行翹曲度測(cè)量（需要3探頭）
■ 用激光傳感器進(jìn)行線鋸方向和深度監(jiān)視（可選）
■ 集成數(shù)據(jù)采集和電氣控制系統(tǒng)
■ 為工廠測(cè)量提供快速以太網(wǎng)通訊接口，速率為每秒5片
■ 可增加的直線厚度掃描數(shù)量
■ 與現(xiàn)有的硅片處理設(shè)備有數(shù)字I/O接口
■ 基于Windows的控制軟件提供離線和在線的數(shù)據(jù)監(jiān)控
■ 提供標(biāo)準(zhǔn)及客戶定制的探頭
■ 提供基于Windows的動(dòng)態(tài)鏈接庫(kù)用于與控制電腦集成
■ 用渦電流法測(cè)量硅片電阻率



無(wú)接觸硅片厚度TTV電阻率綜合測(cè)試系統(tǒng) - 技術(shù)指標(biāo)

■ 晶圓硅片測(cè)試尺寸：50mm- 300mm.
■ 厚度測(cè)試范圍：1.7mm，可擴(kuò)展到2.5mm.
■ 測(cè)厚度測(cè)試精度：+/-0.25um
■ 厚度重復(fù)性精度：0.050um
■ 測(cè)量點(diǎn)直徑：8mm
■ TTV 測(cè)試精度:  +/-0.05um
■ TTV重復(fù)性精度: 0.050um
■ 彎曲度測(cè)試范圍： +/-500um [+/-850um]                                           
■ 彎曲度測(cè)試精度： +/-2.0um
■ 彎曲度重復(fù)性精度： 0.750um
■ 電阻率測(cè)量范圍：5-2000ohm/sq（0.1-40ohm-cm）
■ 電阻率測(cè)量精度：2%
■ 電阻率測(cè)量重復(fù)精度：1%
■ 晶圓硅片類型：?jiǎn)尉Щ蚨嗑Ч?br /> ■ 材料：Si，GaAs，InP，Ge等幾乎所有半導(dǎo)體材料
■ 可用在：切片后、磨片前、后，蝕刻，拋光以及出廠、入廠質(zhì)量檢測(cè)等
■ 平面/缺口：所有的半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)平面或缺口
■ 硅片安裝：裸片，藍(lán)寶石/石英基底，黏膠帶
■ 連續(xù)5點(diǎn)測(cè)量




無(wú)接觸硅片厚度TTV電阻率綜合測(cè)試系統(tǒng) - 應(yīng)用范圍

■ 切片
■ 線鋸設(shè)置
■ 厚度
■ 總厚度變化TTV
■ 監(jiān)測(cè):導(dǎo)線槽、刀片更換
■ TTV重復(fù)性精度: 0.050um
■  磨片/刻蝕和拋光                                      
■ 過(guò)程監(jiān)控
■ 總厚度變化TTV
■ 材料去除率
■ 彎曲度
■ 翹曲度
■ 平整度
■ 研磨
■ 材料去除率
■ 最終檢測(cè)
■ 硅抽檢或全檢
■ 終檢厚度




無(wú)接觸硅片厚度TTV電阻率綜合測(cè)試系統(tǒng) - 典型客戶

美國(guó)，歐洲，亞洲及國(guó)內(nèi)太陽(yáng)能及半導(dǎo)體客戶。